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TNM03K20FX
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，额定电压1.8V。 栅源静电放电保护。 高端开关。 低导通电阻：0.4Ω/mΩ。 低阈值：0.7V（典型值）。 快速开关速度：10ns。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM03K20FX
- 商品编号
- C5307989
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 160mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
JMT P沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- VDS = -40 V，ID = -30 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 13 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 19 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理