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2N7002X
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 3Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 10V。 无铅产品。 表面贴装封装。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- 2N7002X
- 商品编号
- C5307993
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0 S（典型值）
- 低泄漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）（VDS = 720 V）
- 增强型模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）