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TNM02K100KX
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.2A
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- 描述
- 特性：100V, 2.2A。 RDS(ON) = 250mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 260mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计。 经过全面特性分析的雪崩电压和电流。 利于良好散热的出色封装。应用：不间断电源(UPS)。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM02K100KX
- 商品编号
- C5307987
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- 100V、2.2A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 250 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 260 mΩ(典型值)
- 采用高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 封装散热性能出色
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 硬开关和高频电路
- 功率开关应用