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FDC6401N
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：20V，4.0A，RDS(ON) = 22mΩ@VGS = 4.5V。 快速开关。 有环保产品可供选择。应用：笔记本电脑负载开关。 网络
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- FDC6401N
- 商品编号
- C5277950
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 110V
- 当栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 3A 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 200 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V、漏极电流（ID） = 1A 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 210 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低导通电阻（RDS(ON)）。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 要求且无卤素。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-DC/DC 转换器-负载开关