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AO3422MI-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
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- 描述
- AO3422MI-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO3422MI-MS
- 商品编号
- C5278010
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET基于极具创新性的超结MDmesh M9技术，适用于中/高压MOSFET，每单位面积的导通态漏源电阻（RDS(on)）极低。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可实现更优化的器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中，该产品具有极低的导通电阻和降低的栅极电荷值，使其特别适用于要求高功率密度和卓越效率的应用。
商品特性
- 在基于硅的器件中，具有全球最佳的导通态漏源电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）乘积的品质因数（FOM）
- 更高的漏源击穿电压（VDSS）额定值
- 更高的dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 高效开关应用