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AO6800-MS
2个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性：30V,4.0A, RDS(ON) =30mΩ @VGS = 10V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件。应用：MB / VGA/VconepOL应用。 SMPS 2nd SR
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO6800-MS
- 商品编号
- C5278011
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 333pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)），栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏源电流（IDS）为 -4A 时 = 60mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)），栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏源电流（IDS）为 -4A 时 = 75mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)），栅源电压（VGS）为 -1.8V、漏源电流（IDS）为 -2A 时 = 88mΩ
- 人体放电模式（HBM）静电敏感度 > 2KV
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 要求且无卤。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序（PPAP）文件。
应用领域
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻。
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