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SI2309CDS-T1-MS
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 特性：VDS =-60V, ID =-2A。 RDS(ON) < 160mΩ @VGS =-10V。 RDS(ON) < 200mΩ @VGS =-4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2309CDS-T1-MS
- 商品编号
- C5278012
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷：Q_SW = 18 nC（典型值）
- 小输出电荷：Q_oss = 77 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流： IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 80 V）
- 增强型：V_th = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V， ID = 1.0 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器