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MS8205A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS8205A

2个N沟道 耐压:20V 电流:6A

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描述
MS8205A采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
MS8205A
商品编号
C5278013
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V;26mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))700mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)330pF

商品特性

  • VDS = 20V,ID = 6A
  • RDS(ON) < 25 mΩ@VGS = 4.5 V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF