温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2333AI-MS
1个P沟道 耐压:18V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SI2333AI - MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2333AI-MS
- 商品编号
- C5278007
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
SI2333AI-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源极电压(VDS):−18 V,漏极电流(ID):−6.5 A
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):< 28 mΩ(VGS = −4.5 V 时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源