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SI2333AI-MS
1个P沟道 耐压:18V 电流:6.5A
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- 描述
- SI2333AI - MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2333AI-MS
- 商品编号
- C5278007
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
SK30P10采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 = -100 V，漏极电流 = -30 A
- 栅源电压 = -10 V时，漏源导通电阻 < 50 mΩ
- 栅源电压 = -4.5 V时，漏源导通电阻 < 55 mΩ
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- TO-252封装
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统