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SI2333CDS-T1-MS
1个P沟道 耐压:18V 电流:7A
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- 描述
- SI2333CDS-T1-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2333CDS-T1-MS
- 商品编号
- C5278008
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 无卤且符合 RoHS 标准