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SI2305CI-MS
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- SI2305CI-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2305CI-MS
- 商品编号
- C5278009
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该器件是一款共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管，专为高增益宽带商业和工业应用而设计。它在共源模式下，工作电压为7 V，工作频率高达1 GHz。该器件具备意法半导体（ST）最新LDMOS技术PowerSO - 10RF的出色增益、线性度和可靠性。卓越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。PowerSO - 10RF是首款真正的表面贴装器件（SMD）塑料射频功率封装，基于高度可靠的PowerSO - 10，这是意法半导体首创、经JEDEC认证的高功率SMD封装。它针对射频需求进行了专门优化，不仅具备出色的射频性能，而且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源配置
- 在500 MHz时，输出功率（P_OUT）= 3 W，增益为12 dB
- 新型射频塑料封装