温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2300DS-T1-MS
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SI2300DS -T1-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2300DS-T1-MS
- 商品编号
- C5278005
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进的沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 无卤素且符合RoHS标准