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SI2310AI-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- SI2310AI-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2310AI-MS
- 商品编号
- C5278006
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 当栅源电压（VGS）
- 10V、漏极电流（ID）- 4.1A时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 60mΩ - 当栅源电压（VGS）
- 4.5V、漏极电流（ID）- 3A时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 80mΩ - 我们声明，产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序（PPAP）文件。
应用领域
- 先进的沟槽技术
- 该器件适用于作为负载开关或用于脉冲宽度调制（PWM）应用。