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STU417S
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- STU417S采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- STU417S
- 商品编号
- C5277951
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V；14.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
全新MDmesh™ M6技术融合了对广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。意法半导体通过其全新的M6技术，在MDmesh前代器件的基础上进一步发展，该技术将出色的单位面积导通状态漏源电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，同时为用户提供友好体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- VDS = -40V ID = -50A
- RDS(ON) < 13 m Ω @ VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源