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LN2336ELT1G引脚图
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  • 焊盘图

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LN2336ELT1G

1个N沟道 耐压:30V 电流:4A

商品型号
LN2336ELT1G
商品编号
C5273655
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)6.1nC@15V;3.2nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)360pF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)52pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 栅极-源极静电放电保护。
  • 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)。
  • 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
  • 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理
  • 便携式设备
  • 负载开关

数据手册PDF

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