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STPSC10H065DLF
650V 10A 功率碳化硅肖特基二极管
- 描述
- 650 V 10 A 功率肖特基碳化硅二极管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STPSC10H065DLF
- 商品编号
- C5271106
- 商品封装
- Power-FLAT(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 整流电流 | 10A | |
| 正向压降(Vf) | 1.55V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 100uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 850A | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ |
商品概述
这款10A、650V的SiC二极管是超高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计650V额定值的肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复现象，振铃模式可忽略。最小电容关断行为与温度无关。STPSC10H065DLF采用PowerFLAT 8x8 HV低剖面封装，在电信和网络、工业或可再生能源等低空间环境中实现了低正向压降和高浪涌能力。为评估传导损耗，使用以下公式：P = 1.00 × I_F(AV) + 0.095 × I_F²(RMS)。电容电荷的最准确值：Q_cj(V_R) = ∫₀^V_R c_j(V) dV。
商品特性
- 小于1毫米高度的封装
- 高爬电距离封装
- 无或可忽略的反向恢复
- 开关行为与温度无关
- 高正向浪涌能力
- 极低正向压降
- 高效能产品
- 符合ECOPACK2标准的组件
应用领域
- 升压功率因数校正（Boost PFC）
- 自举二极管
- LLC钳位功能
- 高频逆变器应用