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SI2301-ZE
P沟道 20V 2.3A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，提供高效、精准的功率控制解决方案。
- 商品型号
- SI2301-ZE
- 商品编号
- C5261052
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V；145mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- V D S = - 20V, I D = - 2.3A
- R D S (O N) < 140mΩ @ V G S = - 4.5V
- R D S (O N) < 162mΩ @ V G S = - 2.5V
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT-23
- P沟道MOSFET