1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
- 50+: ¥0.075757 / 个
- 500+: ¥0.060461 / 个
- 3000+: ¥0.045887 / 个 (折合1圆盘137.66元)
- 6000+: ¥0.040788 / 个 (折合1圆盘122.36元)
- 24000+: ¥0.038749 / 个 (折合1圆盘116.25元)
- 51000+: ¥0.037389 / 个 (折合1圆盘112.17元)
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¥0.038749 / 个 (折合1圆盘116.25元) |
51000+: |
¥0.037389 / 个 (折合1圆盘112.17元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
功率(Pd) | 700mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 126mΩ@4.5V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 285pF |