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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLR8726T

1个N沟道 耐压:30V 电流:80A

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描述
这款N型场效应管具备80A的电流承载能力,能在30V电压下稳定工作。其内阻典型值为5mΩ,VGS为20V。适用于要求高电流、低内阻的应用场景,如电源管理、负载开关等,确保系统高效稳定运行。
商品型号
IRLR8726T
商品编号
C5261061
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3748克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)54W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)11.1nC@15V
输入电容(Ciss)1.16nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:

  • 反极性保护
  • 电机控制
  • 电源管理

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 80A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 6.8mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF