IRLR8726T
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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描述
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备30V额定电压及高达80A连续电流承载能力，专为大电流、高效率电源转换和电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能与低损耗表现。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRLR8726T商品编号
C5261061商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.3748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.16nF |
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