温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD4185
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款场效应管具有40A的电流承载能力和40V的电压耐受性，内阻典型值为10mΩ，适用于高效能应用。其P型设计确保了良好的电流传导性能，VGS为20V，适用于多种电路设计需求。选择它，可确保电路的稳定性和高效性。
- 商品型号
- AOD4185
- 商品编号
- C5261064
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.487克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
IRLML6401采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理