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AON7544
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备强大的100A连续电流处理能力，在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 商品型号
- AON7544
- 商品编号
- C5261066
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款单整流器基于专有技术，能够在给定的硅片面积下实现同类产品中最佳的VF/IR折中性能。 该器件采用 PowerFLAT™ 5x6 封装，适用于开关电源中的整流和续流操作。
商品特性
- 意法半导体（ST）专有工艺
- 反向电压下漏电流稳定
- 正向压降低
- 高频工作