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ESD5451N

双向ESD 5V截止峰值脉冲电流：9A

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描述: 该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道高效保护。具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路稳定运行。其结电容为10pF，适合高速数据接口应用，兼具良好的信号完整性和卓越的静电防护性能，是现代电子设备理想的抗静电方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: ESD5451N
商品编号: C5261080
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01克(g)

商品参数

商品概述

ESD5451N可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供一流的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L（SOD - 882）

商品特性

低泄漏
响应时间通常小于1 ns
符合人体模型3级ESD等级
具备IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
这些是无铅器件
我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	10V
	峰值脉冲电流(Ipp)	9A
	峰值脉冲功率(Ppp)	-
	击穿电压(VBR)	8.2V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100nA
	通道数	单路
	工作温度	-
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF