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AONR21357
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用微型DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，连续电流高达50A。专为高功率密度应用设计，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，提供卓越的能效比与紧凑布局解决方案，满足现代电子设备的高性能需求。
- 商品型号
- AONR21357
- 商品编号
- C5261065
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
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