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FDS4435BZ
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，最大连续电流高达9A。适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合，具备卓越的开关性能和低导通电阻，确保高效能与稳定性，是优化电子设备功耗的理想之选。
- 商品型号
- FDS4435BZ
- 商品编号
- C5261056
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |