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AOD413A
1个P沟道 耐压:40V 电流:25A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有40V工作电压及高效能的25A电流承载力。专为低压、高效率开关应用设计，应用于各类消费电子产品中，以实现卓越的电源转换效能与系统稳定性，是优化电路的理想选择。
- 商品型号
- AOD413A
- 商品编号
- C5261059
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF@20V | |
| 配置 | - |
商品概述
IRFR5305T采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60 V，ID = -20 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 72 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理