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IRFR024NT
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道半导体器件，具备60V的最大工作电压及30A连续电流处理能力。适用于各类电源转换、开关电路等应用场合，以其出色的能效、高可靠性与紧凑设计，有效提升电子设备性能表现。
- 商品型号
- IRFR024NT
- 商品编号
- C5261060
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |