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IRF7416T
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其关键参数包括：11A的最大电流承载能力，30V的漏极-源极电压，以及13mΩ的典型内阻。VGS为20V，确保了良好的控制性能。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。
- 商品型号
- IRF7416T
- 商品编号
- C5261058
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.291克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMG2305UX-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理