IRLML6402
P沟道增强型MOSFET,电流:3.6A,耐压:20V
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描述
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为20V电压系统设计,提供4.2A电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性,广泛应用在充电器、电源转换等场景中,确保电子设备高效、稳定地进行功率控制与切换。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRLML6402商品编号
C5261055商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.037克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@4.5V,3.6A | |
功率(Pd) | 1.7W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.8nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 740pF@4V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 190pF@4V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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