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IRLML6402
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，提供4.2A电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用在充电器、电源转换等场景中，确保电子设备高效、稳定地进行功率控制与切换。
- 商品型号
- IRLML6402
- 商品编号
- C5261055
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRF7416T采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -3.6A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) = 55mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) = 75mΩ
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理-P沟道MOSFET