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IRLML6402

环保标识
  • P沟道增强型MOSFET,电流:3.6A,耐压:20V

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为20V电压系统设计,提供4.2A电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性,广泛应用在充电器、电源转换等场景中,确保电子设备高效、稳定地进行功率控制与切换。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    IRLML6402
  • 商品编号

    C5261055
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.037克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)70mΩ@4.5V,3.6A
功率(Pd)1.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.8nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)740pF@4V
反向传输电容(Crss@Vds)190pF@4V
工作温度-55℃~+150℃

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