- 引脚图
- 焊盘图
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AFGB40T65RQDN
AFGB40T65RQDN
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- AFGB40T65RQDN
- 商品编号
- C5209090
- 商品封装
- D2PAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 339.37W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.1nF | |
| 输出电容(Coes) | 71pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 9pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 66ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.18mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 750uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 52ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |