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NCV51513ABMNTWG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV51513ABMNTWG

具备互锁和死区时间功能的汽车级130 V高低侧驱动器

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描述
NCV51513是一款130 V半桥驱动器,具有高驱动电流能力,适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟,静态电流低,且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV51513ABMNTWG
商品编号
C5209111
商品封装
DFNW-10(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.112971克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
拉电流(IOH)2A
工作电压8V~19V
属性参数值
上升时间(tr)6ns
下降时间(tf)7ns
传播延迟 tpLH20ns
传播延迟 tpHL20ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)150uA

商品概述

NCV51513 是一款 130 V 半桥驱动器,具备高驱动电流能力,适用于 DC - DC 电源和逆变器。NCV51513 在高频工作时具有同类最佳的传播延迟、低静态电流和低开关电流。 该器件专为高效高频电源而设计。NCV51513 提供两种传播延迟版本。带滤波器版本的典型传播延迟为 50 ns,不带滤波器版本的典型传播延迟为 20 ns。内部 80 ns 死区时间(xB 版本)和互锁功能可保护输出 MOSFET 免受直通导通事件影响。使能功能为系统提供了额外的灵活性,并有助于降低功耗。

商品特性

  • 高电压范围:最高 130 V
  • dV/dt 抗扰度最高达 50 V/ns
  • 输出源/灌电流能力 2.0 A / 3.0 A
  • 1 nF 负载下的上升/下降时间为 9 ns / 7 ns
  • 独立逻辑输入,兼容 3.3 V 和 5 V
  • 使能输入
  • 传播延迟:Ay 版本 50 ns,By 版本 20 ns
  • 输入滤波器时间:Ay 版本为 30 ns,By 版本无滤波器
  • 死区时间选项:无死区时间(xA 版本);内部固定 80 ns 死区时间(xB 版本)
  • 输入直通导通防护
  • 扩展允许的负桥引脚电压摆幅至 -10 V(Vcc = 10 V 时)
  • 两通道间匹配的传播延迟最大 11 ns
  • 两通道独立欠压锁定(UVLO)
  • 无铅器件

应用领域

  • 48 V 汽车 DC/DC 转换器
  • 车载充电器
  • 电动助力转向系统
  • 48 V BSB 和 ISG

数据手册PDF