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FGHL50T65MQDT
650V 80A
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- 描述
- 场截止第四代中速 IGBT 技术与全额定电流二极管共封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGHL50T65MQDT
- 商品编号
- C5209101
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 输出电容(Coes) | 105pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.335nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 90ns | |
| 导通损耗(Eon) | 470uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 290uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 79ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF |