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NCV5703DDR2G引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV5703DDR2G

NCV5703: IGBT 门极驱动器,高电流,独立

描述
NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器,带非反相输入逻辑电平,适用于中等到高功率应用,诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件,提供了一个经济高效的方案。 该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出(所有版本)和单独的高电平和低电平(VOH 和 VOL)驱动器输出(仅限 NCV5703C),方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源(以及 NCV5703B 双极偏置电源)电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装,经过 AEC-Q100 认证。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV5703DDR2G
商品编号
C5206745
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置-
负载类型IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)6A
拉电流(IOH)-
工作电压-
上升时间(tr)9.2ns
属性参数值
下降时间(tf)7.9ns
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)900uA
功能特性使能关断;过流保护

应用领域

  • 逆变器
  • 电机控制
  • 不间断电源 (UPS)
  • 光伏系统的快速关机

数据手册PDF