NCV5703DDR2G
NCV5703: IGBT 门极驱动器,高电流,独立
- 描述
- NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器,带非反相输入逻辑电平,适用于中等到高功率应用,诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件,提供了一个经济高效的方案。 该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出(所有版本)和单独的高电平和低电平(VOH 和 VOL)驱动器输出(仅限 NCV5703C),方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源(以及 NCV5703B 双极偏置电源)电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装,经过 AEC-Q100 认证。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV5703DDR2G
- 商品编号
- C5206745
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | - | |
| 上升时间(tr) | 9.2ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 7.9ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 900uA | |
| 功能特性 | 使能关断;过流保护 |
应用领域
- 逆变器
- 电机控制
- 不间断电源 (UPS)
- 光伏系统的快速关机
- NCV5707BDR2G
- NCV68261MTWAITBG
- NCV68061SNAIT1G
- NCP1622BCASNT1G
- NCP4318AHDDR2G
- NCP81178MNTXG
- FD5001MNTXG
- NCP81283MNTXG
- NCS37015MNTWG
- NCP51200AMNTXG
- NCL30488B1DR2G
- NCL30488B4DR2G
- NCS7031DM1G020R2G
- MC33179DR2
- MC34072VPG
- NE5534ADG
- NCV76124MW0R2G
- AR0220AT4B00XUEA2-DPBR
- AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
- AR0233ATSC17XUEA1-DRBR
- AR0234CSSC00SUKA0-CP


