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NCV68061SNAIT1G

NCV68061: Ideal Diode NMOS Controller

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描述: NCV68061是一款反极性保护和理想二极管NMOS控制器，旨在作为功率整流二极管的低损耗、低正向电压替代品。该控制器与N沟道MOSFET配合使用，以实现低功耗。NCV68061的主要功能是根据源极至漏极的压差极性控制外部NMOS的导通/关断状态
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCV68061SNAIT1G
商品编号: C5206748
商品封装: TSOP-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.025克(g)

商品参数

	属性	参数值
	静态电流(Iq)	215uA
	工作温度	-40℃~+150℃
	灌电流(IOL)	1.85A
	功能特性	带使能；过压锁定；欠压锁定；反向极性保护；反向电流阻断

商品概述

NCV68061是一款反向极性保护和理想二极管NMOS控制器，旨在作为功率整流二极管的低损耗、低正向电压替代品。该控制器与N沟道MOSFET配合使用，以实现低功率损耗。 NCV68061的主要功能是根据源极至漏极的差分电压极性控制外部NMOS的导通/关断状态。根据漏极引脚的连接方式，该器件可配置为两种不同的应用模式。当漏极引脚连接到负载时，应用处于理想二极管模式；而当漏极引脚接地时，应用仅处于反向极性保护模式。

商品特性

工作电压范围：最高32 V
抗60 V负载突降脉冲
抗 -40 V负瞬态
理想二极管功能：防止反向电流（从输出到输入）
反向极性保护（RPP）功能：防止负电源
使能功能（3.3 V逻辑兼容阈值）
NCV前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q100 1级标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

汽车电池调节
工业电源
电源“或”应用
整流器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	3V~32V
	FET类型	外置FET
	栅极驱动电压	15V