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NCV68061SNAIT1G
NCV68061: Ideal Diode NMOS Controller
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- 描述
- NCV68061是一款反极性保护和理想二极管NMOS控制器，旨在作为功率整流二极管的低损耗、低正向电压替代品。该控制器与N沟道MOSFET配合使用，以实现低功耗。NCV68061的主要功能是根据源极至漏极的压差极性控制外部NMOS的导通/关断状态
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV68061SNAIT1G
- 商品编号
- C5206748
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 3V~32V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 栅极驱动电压 | 15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 215uA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 灌电流(IOL) | 1.85A |
商品概述
NCV68061是一款反向极性保护和理想二极管NMOS控制器，旨在作为功率整流二极管的低损耗、低正向电压替代品。该控制器与N沟道MOSFET配合使用，以实现低功率损耗。 NCV68061的主要功能是根据源极至漏极的差分电压极性控制外部NMOS的导通/关断状态。 根据漏极引脚的连接方式，该器件可配置为两种不同的应用模式。当漏极引脚连接到负载时，应用处于理想二极管模式；而当漏极引脚接地时，应用仅处于反向极性保护模式。
商品特性
- 工作电压范围：最高32 V
- 抗60 V负载突降脉冲
- 抗 -40 V负瞬态
- 理想二极管功能：防止反向电流（从输出到输入）
- 反向极性保护（RPP）功能：防止负电源
- 使能功能（3.3 V逻辑兼容阈值）
- NCV前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q100 1级标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 汽车电池调节
- 工业电源
- 电源“或”应用
- 整流器
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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