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NCV5707BDR2G
高电流IGBT/MoSFET栅极驱动器
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- 描述
- 用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过消除外部输出缓冲器提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽范围的偏置电源电压。NCx5707B 支持双极电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位 (NCx5707A) 和独立的高低 (VOH 和 VOL) 驱动器输出，方便系统设计 (NCx5707C)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV5707BDR2G
- 商品编号
- C5206746
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 拉电流(IOH) | 7.8A | |
| 工作电压 | 0V~36V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 9.2ns | |
| 下降时间(tf) | 7.9ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 4.3V | |
| 输入低电平(VIL) | 750mV | |
| 静态电流(Iq) | 900uA |
应用领域
- 电机控制
- 不间断电源 (UPS)
- 汽车电源供应器
- HEV/EV PTC 加热器