NCV68261MTWAITBG
NCV68261: Ideal Diode and High Side Switch NMOS Controller
- 描述
- NCV68261是一款具有可选高端开关功能的反极性保护及理想二极管NMOS控制器,旨在作为功率整流二极管和机械功率开关的低损耗、低正向电压替代品。该控制器与一个或两个N沟道MOSFET协同工作,并根据使能引脚状态和输入至漏极的差分电压极性来设置晶体管的导通/关断状态。根据漏极引脚的连接方式,理想二极管和高端开关应用均可在两种不同模式下工作
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV68261MTWAITBG
- 商品编号
- C5206747
- 商品封装
- WDFNW-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 3V~32V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 栅极驱动电压 | 15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 210uA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 灌电流(IOL) | 1.65A |
商品概述
NCV68261是一款具有可选高端开关功能的反极性保护和理想二极管NMOS控制器,旨在作为功率整流二极管和机械功率开关的低损耗、低正向电压替代品。该控制器与一个或两个N沟道MOSFET协同工作,并根据使能引脚的状态和输入至漏极的差分电压极性来设置晶体管的开/关状态。 根据漏极引脚的连接方式,理想二极管和高端开关应用均可在两种不同模式下工作。当漏极引脚连接到负载时,应用处于理想二极管模式;而当漏极引脚接地时,应用仅处于反极性保护模式。
商品特性
- 工作电压范围:高达32 V
- 抗60 V负载突降脉冲
- 抗 -40 V负瞬态
- 过压保护:在V_IN = 35.6 V(典型值)时将负载与电池断开
- 使能功能(3.3 V逻辑兼容阈值)
- 理想二极管功能:防止反向电流(从输出到输入)
- 反极性保护(RPP)功能:防止负电源
- 带理想二极管的高端开关
- 带反极性保护的高端开关
- NCV前缀适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q100 1级标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 汽车电池调节
- 工业电源
- 整流器
- 高端开关
- 车辆控制模块
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