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NCP51560BBDWR2G
NCP51560: 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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- 描述
- NCP51560 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51560 具有较短且匹配的传播延迟
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP51560BBDWR2G
- 商品编号
- C5206715
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；半桥；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 9A | |
| 拉电流(IOH) | 2.6A | |
| 工作电压 | 6.5V~30V | |
| 上升时间(tr) | 11ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 19ns | |
| 传播延迟 tpLH | 38ns | |
| 传播延迟 tpHL | 38ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.4V~1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 900mV~1.3V | |
| 静态电流(Iq) | 780uA |
商品概述
NCP51560是隔离式双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A/9 A。它们专为快速开关驱动功率MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET功率开关而设计。NCP51560具有较短且匹配的传播延迟。 两个独立的输出与输入之间具备5 kVrms的内部电流隔离，两个输出驱动器之间具备内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端开关、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任意可能配置。 ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时，分别进入使能或禁用模式，可同时关闭两个输出。NCP51560还具备其他重要保护功能，如两个栅极驱动器独立的欠压锁定和死区时间调节功能。
商品特性
- 灵活配置：双低端、双高端或半桥栅极驱动器
- 4.5 A峰值源电流、9 A峰值灌电流输出能力
- 两个输出驱动器独立的欠压锁定（UVLO）保护
- 输出电源电压范围为6.5 V至30 V，MOSFET的欠压锁定阈值为5 V和8 V，SiC的欠压锁定阈值为13 V和17 V
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）> 200 V/ns
- 传播延迟典型值为38 ns，每通道最大延迟匹配为5 ns，最大脉冲宽度失真为5 ns
- 用户可编程输入逻辑和禁用模式
- 用户可编程死区时间
- 隔离与安全：符合UL1577要求的1分钟5 kVrms隔离，符合VDE0884 - 11要求的8000 VpK加强隔离电压，符合GB4943.1 - 2011的CQC认证，符合IEC 62386 - 1的SGS FIMO认证
- 这些器件为无铅器件
应用领域
- 电机驱动器
- DC - DC和AC - DC电源中的隔离式转换器
- 服务器、电信和工业基础设施
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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