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BSS123NH6327
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.19A
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- 描述
- 特性：N 通道增强模式。 逻辑电平（额定 4.5V）。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准，无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS123NH6327
- 商品编号
- C5205497
- 商品封装
- TO-236-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,0.19A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.9pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 4V驱动
- 低导通电阻
- 内置保护二极管
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