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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 450pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMS4611S采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的 RDS(on)。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他大量应用。
商品特性
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 表面贴装封装
- 可靠耐用
- 驱动要求简单
- 低导通电阻
应用领域
- 电源管理
- DC/DC转换器
- 风扇、LCD逆变器系统中的电源管理