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CMN2333M
1个P沟道 耐压:16V 电流:4A 停产
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- 描述
- CMN2333M采用先进的沟槽技术，可实现出色的 RDS(ON)、低栅极电荷，并且可在低至 2.5V 的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于 PWM 应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2333M
- 商品编号
- C5203782
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2054A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 37mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关