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CMN3419M
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A 停产
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- 描述
- CMN3419M 是 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用阵列式设计。它具有开关速度快、导通电阻低、稳定性好等特点。适用于商业和工业表面贴装应用，也适合用于如 DC/DC 转换器等低压应用场景
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN3419M
- 商品编号
- C5203780
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |