温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSP09N10T
2个N沟道 耐压:100V 电流:5.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WSP09N10T是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP09N10T符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全面的可靠性测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP09N10T
- 商品编号
- C5185323
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
WSF2060是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF2060符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，并通过了全面的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关