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WSR150N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR150N04
- 商品编号
- C5185339
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 321pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM420MBA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
-负载开关-电池保护-不间断电源