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WSD40200DN56G
耐压:40V 电流:180A
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- 描述
- WSD40200DN56G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性，适用于……
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD40200DN56G
- 商品编号
- C5185344
- 商品封装
- DFN5X6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.3nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.51nF |
商品概述
WsF40N15是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WsF40N15符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过耐雪崩能量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电视转换器电源管理
- DC-DC转换器
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