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WSD25280DN56G
1个N沟道 耐压:25V 电流:280A
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- 描述
- WSD25280DN56G是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD25280DN56G符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD25280DN56G
- 商品编号
- C5185345
- 商品封装
- DFN5X6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.752nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS(V) = -30 V
- 漏极电流 ID = -5.3 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通态漏源电阻RDS(ON) < 41 mΩ（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通态漏源电阻RDS(ON) < 75 mΩ（栅源电压VGS = -4.5 V）