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WSD40L48DN33
1个P沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- WsD40L48DN33是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。WsD40L48DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD40L48DN33
- 商品编号
- C5185332
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |