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WSR170N04G
1个N沟道 耐压:40V 电流:170A
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- 描述
- WSR170N04G采用屏蔽栅技术（SGT）和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR170N04G
- 商品编号
- C5185338
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 185W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.12nF |
商品概述
WSR60N25是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSR60N25符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
-负载开关-电池保护-不间断电源