温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSD4048DN56
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:34A 24A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WSD4048DN56是一款高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4048DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，经全面功能可靠性认证，100%保证符合EAS标准。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4048DN56
- 商品编号
- C5185324
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A；24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 25W；31.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V；9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.904nF@15V；810pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@15V；60pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD6035DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 WSD6035DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具备抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证具备抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑、笔记本电脑、超便携个人电脑、显卡的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关