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WSD4066ADN33
2个N沟道 耐压:40V 电流:14A
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- 描述
- WSD4066ADN33 是一款高性能沟槽式双 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 RDS(ON)和栅极电荷。WSD4066ADN33 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过功能可靠性认证，保证每片产品合格。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4066ADN33
- 商品编号
- C5185320
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
WSD46N10DN56是高性能SGT双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD46N10DN56符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证雪崩能量(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关