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WSK92P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 是高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100%经过 EAS 保证和全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK92P06
- 商品编号
- C5185322
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.066nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 291pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM403D1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器