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WSF2060
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- WSF2060是一款具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF2060符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF2060
- 商品编号
- C5185319
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
AP4N2R6系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。 TO - 252封装因连接电阻低，广泛适用于所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用，且适合大电流应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关