温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计,实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压(Vth)系列专为低驱动电压的同步整流电源系统设计。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
-PD充电器-电机驱动器-开关稳压器-DC-DC转换器-开关模式电源